職位描述
光刻工藝蝕刻工藝清洗工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé)：
1、參與氮化鎵工藝設(shè)備的操作使用和工藝菜單的優(yōu)化，工藝線設(shè)備包括光刻，刻蝕，薄膜，清洗等設(shè)備，工藝菜單包括樣品表面清潔，光刻，刻蝕，薄膜沉積，蒸金屬，退火等工序；
2、參與氮化鎵晶圓各個批次的流片生產(chǎn)作業(yè)以及研發(fā)工作；
3、參與新產(chǎn)品的試生產(chǎn)，包括工藝菜單優(yōu)化和工藝流程的優(yōu)化，提高產(chǎn)品性能和成品率；
4、參與收集和記錄實驗數(shù)據(jù)，并進行分析，提交實驗報告和相關(guān)技術(shù)文檔。
任職要求：
1、一年以上半導(dǎo)體工藝工作經(jīng)驗；
2、具有較好的工作協(xié)調(diào)能力，并能積極地發(fā)現(xiàn)問題解決問題；
3、有氮化鎵相關(guān)工藝工作經(jīng)驗者優(yōu)先；
4、具有高度的責(zé)任心、很強的團隊意識、創(chuàng)新意識，具有良好的抗壓能力、學(xué)習(xí)能力、溝通能力和表達能力。
5、誠實正直，善于思考，做事嚴謹，勇于承擔(dān)責(zé)任。
工作地點
徐州賈汪區(qū)江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司
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祁霄霄/HR
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江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司成立于2021年，是香港上市公司宏光半導(dǎo)體投資的全資子公司。項目發(fā)起人為氮化鎵領(lǐng)域領(lǐng)軍人物，以業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵功率器件和其全新應(yīng)用為拳頭產(chǎn)品，充分發(fā)揮國際領(lǐng)先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產(chǎn)制造技術(shù)的優(yōu)勢，匯集供應(yīng)鏈資源、核心技術(shù)、產(chǎn)品制造、核心客戶、資本市場和地方政府支持等關(guān)鍵資源，組織籌建新型的IDM產(chǎn)品平臺，助力中國在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。公司租賃原晶旺光電生產(chǎn)車間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設(shè)2條氮化鎵功率器件芯片生產(chǎn)中試線，用于研發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關(guān)應(yīng)用。已經(jīng)投資3.3億元，其中2億元用于廠房升級改造和設(shè)備采購，包括金屬有機化合物氣相沉積系統(tǒng)、全自動光刻機、等離子體刻蝕機、涂膠顯影機、干法刻蝕機等設(shè)備200余臺套，年生產(chǎn)氮化鎵功率器件芯片8000萬顆。公司核心團隊結(jié)合了掌握氮化鎵工藝核心技術(shù)的美國團隊和具有豐富的硅集成電路生產(chǎn)管理經(jīng)驗的臺灣團隊，擁有全面駕馭產(chǎn)業(yè)和市場發(fā)展的實力。公司將依托核心團隊對第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件設(shè)計、外延生長、芯片工藝、封裝測試、模組系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)經(jīng)驗，以及國際半導(dǎo)體企業(yè)成熟的管理體系相結(jié)合，建立氮化鎵功率芯片國產(chǎn)化的技術(shù)開發(fā)平臺。
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