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研究方向: 低維材料精準合成與半導體薄膜傳感器件 崗位職責: 1.材料合成技術開發(fā)：結(jié)合實驗室現(xiàn)有基礎和申請人具備的技術能力，進行材料結(jié)構的理性設計和氣相法/濕法合成； 2.傳感器性能優(yōu)化：構建新型光電傳感器或電化學傳感器，結(jié)合AI和機器學習算法提升傳感效率和解耦能力； 3.學術成果發(fā)表：根據(jù)導師的研究方向和課題要求，在導師的指導下發(fā)表高水平研究論文至少1篇。 任職條件: 1.已經(jīng)或即將獲得博士學位；年齡不超過35周歲（含），博士畢業(yè)不超過三年，未在廣東省內(nèi)從事過博士后工作； 2.具有材料、微電子、物理、電化學、化學或相關領域的博士學位； 3.良好的英文閱讀和寫作能力，以第一作者發(fā)表過至少2篇JCR一區(qū)SCI論文。 4.熟悉材料的合成及表征技術、掌握多種材料顯微結(jié)構分析技術，會晶體管、憶阻器等器件制備及測試者優(yōu)先，會python及其他編程語言者優(yōu)先，會理論模擬計算者優(yōu)先。 5.擁有獨立開展具體課題的能力，具備發(fā)表高水平學術論文的潛力； 6.熱愛科研、勤奮努力，有良好的團隊協(xié)作精神和溝通協(xié)調(diào)能力。 薪酬待遇： （一）薪酬待遇 1.收入：聘期兩年、稅前綜合收入平均30-45萬/年（含省市補貼），具體面議； 2.五險一金：享受全職員工的醫(yī)療保險、養(yǎng)老保險、工傷保險等基本社會保險和住房公積金； 3.獎勵：與正式員工同等享有年度獎勵性績效。 （二）個人發(fā)展 1.晉升和留院機會：在站工作期間計入我院工齡，支持符合要求的博士后申報國家、地方的各類項目； 2.符合條件可競爭性申報國家“博士后創(chuàng)新人才支持計劃”（A檔每人兩年共64萬元的資助，其中56萬元為博士后生活補貼，8萬元為科研資助；B檔每人兩年36萬元博士后生活補貼；C檔每人兩年24萬元博士后生活補貼），此項目不與省市補貼兼得； 3.廣東省海外博士后人才支持項目（TOP前200名海外高校，在站60萬/2年，出站后留粵住房補貼40萬/3年，共計100萬），此項目不予省市補貼兼得； 4.在站期間，可申報“院長博士后擇優(yōu)專項計劃”，按每名入選者 20 萬元標準，予以第三年資助，可申請市博士后公寓、市人才房或申請一次性住房補貼2萬元，頒發(fā)《院長博士后擇優(yōu)專項資助證書》； 5.出站后留院可申請深圳市博士后留（來）深生活補助，給予12萬/年資助，共資助3年。 相關政策均以廣東省、深圳市文件為主。 （三）福利關懷 1.專項福利：享受工會福利、伙食補貼、交通補貼、節(jié)日補貼、上下班車停車、享受帶薪年休假、節(jié)日慰問等福利。按照員工結(jié)婚、生育、生日、法定節(jié)假日等慰問，特色活動（生日會、下午茶、興趣小組等）等福利； 2.住房福利：可以選擇申請院內(nèi)過渡房、市博士后公寓（合正置地）及深圳市人才房； 3.戶口辦理：協(xié)助辦理深圳市戶口（配偶、未成年子女可隨遷）； 4.優(yōu)質(zhì)醫(yī)療：為本人提供高水準的醫(yī)療保障，職工年度體檢。 應聘材料: 1.個人簡歷； 2.反映本人學術水平的代表性成果。